دوره 9، شماره 24 - ( زمستان 1396 )                   جلد 9 شماره 24 صفحات 103-111 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


گروه علوم باغبانی، دانشگاه علوم کشاورزی و منابع طبیعی ساری
چکیده:   (749 مشاهده)
به­منظور مطالعه تناوب زمان قرار­گیری در معرض میدان مغناطیسی (9/. میلی تسلا) بر باززایی مستقیم بنفشه آفریقایی از ریز نمونه برگ در محیط MS فاقد و دارای تنظیم کننده رشد دو آزمایش انجام شد. آزمایش اول بصورت طرح کاملا تصادفی با اعمال سه سطح میدان مغناطیسی (5 روز پیوسته، 5 روز ناپیوسته و شاهد)  در محیط کشت­های فاقد تنظیم­کننده رشد با 6 تکرار انجام شد. آزمایش دوم بصورت فاکتوریل در قالب طرح کاملا تصادفی انجام شد. فاکتورهای آزمایش شامل دو نوع تنظیم­کننده رشد اکسین و سایتوکنین در دو سطح صفر، یک و سه میلی­گرم و سه سطح میدان مغناطیس (5 روز پیوسته، 5 روز ناپیوسته و شاهد) بودند. این آزمایش نیز با 6 تکرار انجام شد. نتایج نشان داد ریزنمونه­های قرار گرفته در معرض میدان ناپیوسته بیشترین (08/7) و در گروه شاهد (35/2) کمترین تعداد گیاهچه را تولید نمودند. میدان مغناطیسی در نبود تنظیم­کننده­های رشد اثر
معنی­داری بر طول گیاهچه نداشت اما این اثر در حضور تنظیم کننده­ها بر طول ساقه­چه معنی­دار بود. افزایش تعداد برگ نیز در اثر دریافت میدان مغناطیسی پیوسته (4/4) و ناپیوسته (7/4) در محیط فاقد تنظیم کننده­های رشد تقریبا دوبرابر شاهد (77/2) و معنی­دار شد. وزن­تر و خشک در شرایط میدان مغناطیسی ناپیوسته (49/0، 03/0 میلی­گرم) بطور معنی­داری نتیجه بهتری را نسبت به پیوسته (35/0، 02/0 میلی­گرم) در شرایط بدون تنظیم­کننده­های رشد نشان داد. نتایج نشان داد وقتی که ریزنمونه­ها در محیط حاوی 1 میلی­گرم در لیتر تنظیم کننده­های رشد، به مدت 5 روز به صورت پیوسته در معرض میدان مغناطیسی قرار بگیرند از وزن تر و خشک بیشتری در مقایسه با محیط کشت حاوی 3 میلی­گرم در لیتر تنظیم کننده­های رشد برخوردار خواهند بود. به نظر می­رسد در این آزمایش میدان مغناطیسی به­عنوان یک تنش غیرزیستی ملایم موجب تحریک در تقسیم و طویل شدن سلول­­ها و در نتیجه رشد گیاه گردید.

 
 
متن کامل [PDF 607 kb]   (400 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: اصلاح نباتات، بیومتری
دریافت: ۱۳۹۶/۱۲/۱۹ | ویرایش نهایی: ۱۳۹۸/۱/۲۵ | پذیرش: ۱۳۹۶/۱۲/۱۹ | انتشار: ۱۳۹۶/۱۲/۱۹